场效应管是一种输入阻抗很高的半导体器件,英文称FET。它是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,其特点是管制端基本上不需电流,受温度、辐射等外界影响小。
场效应管的工作原理与普通半导体三极管不同,三极管是电流控制器件,即在一定条件下,其集电极电流Ic受控于基极电流I b:而场效应管则是电压控制器件,管子电流Ib受控于栅极电压Vgs,也就是说通过改变栅极电压Vgs,能控制漏极电流Ib的大小。
一、场效应管符号
根据结构和工作原理不,场效应管分为两在类:结型场效应管和栅型场效应管。结型场效应管分为N和P沟道两类。绝缘栅型场效应管种类较多,其中一种由金属、半导体的绝缘体材料制成,被称为金属—氧化物—半导体场效应管(简称MOSFET)。
根据所用半导体材料,可分为P沟道MOS场效应管(PMOSFET)和N沟道MOS场效应管(NMOSFET)。绝缘栅型场效应管又分“增强型”与“耗尽型”两类。
二、场效应管外观
不管什么场效应管,都有三个电极:栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。这三个电极所起的作用与三极管的三个电极有点类似:栅极相当于三极管的基极,漏极相当于三极管的集电极,源极相当于三极管的发射极。但场效应管与三极管的原理及特性是不相同的。
三、场效应管作用
场效应管在手机射频电路中作为放大元件使用,在逻辑电路一般作开关元件使用。与三极管一样,场效应管必须加上适当的偏压,才能正常工作,才能起放大、振荡很有成效作用。其中P沟通型场效应管必须加上负的栅—源电压,而N沟道型场效应管工作必须加上正的栅—源电压。
四、场效应管好坏判断
我们可以通过具体分析声效应管在手机电路中的作用和各极正常的电压来判断其好坏。另外,就直接检查管子在直流输出电阻Rgs是否正常,可D、S短触、用万用表10K档测量D、S与G之间的正反向电阻值,正常时正向电阻值应几乎为零,反向时应无穷林,如果正向电阻值很大,而反向阻值接近零,则表明管子已坏,需更换。